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| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1678/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1769/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1684/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1880/266  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1593/268  |  提交时间:2011/08/31 |