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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [3]
作者
张书明 [1]
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2004 [1]
2000 [2]
语种
英语 [3]
出处
IEEE TRANS... [1]
MICRON, 35... [1]
PROCEEDING... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
资助机构
Japan Soc ... [1]
会议主办方: Wuh... [1]
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期刊影响因子降序
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
MICRON, 35 (6), Wuhan, PEOPLES R CHINA, OCT 17-21, 2003
作者:
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
;
Wang RM Peking Univ Electron Microscopy Lab Beijing 100871 Peoples R China. 电子邮箱地址: rmwang@pku.edu.cn
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提交时间:2010/10/29
Transmission Electron Microscopy
Electron Energy Loss Spectroscopy
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Nitride
Chemical-vapor-deposition
Epitaxy
Layer
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
Design, simulation and testing of large area silicon drift detectors and detector array for X-ray spectroscopy
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 47 (4), SEATTLE, WASHINGTON, OCT 26-28, 1999
作者:
Zhang WC
;
Li Z
;
Siddons DP
;
Huang T
;
Zhao LJ
;
Kakuno EM
;
Pietraski P
;
Li CJ
;
Zhang WC Brookhaven Natl Lab Upton NY 11973 USA.
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提交时间:2010/11/15