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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [12]
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会议论文 [12]
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2006 [1]
2003 [1]
2000 [1]
1999 [1]
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Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Anodic Alumina Films
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
Experimental study on tunable external cavity photodetectors
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Ren XM
;
Liu K
;
Huang YQ
;
Liu LY
;
Li JX
;
Guo W
;
Liao QW
;
Ma XY
;
Kang XJ
;
Campbell JC
;
Ren XM Beijing Univ Posts & Telecommun Beijing 100876 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
External Cavity Photodetector
Tunable Photodetector
Optoelectronic Device
Wavelength
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Layers
Iron related emission spectra in InP
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Chang Y
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Absorption-spectroscopy
Fe
On the nature of iron in InP: A FTIR study
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Lao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Iron
Phonon Sideband
Semi-insulating
Inp
Dynamics of formation of defects in annealed InP
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
Formation mechanism of defects in annealed InP
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
The role of hydrogen in semi-insulating INP
会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Qian JJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Hydrogen related defects in InP
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON LIGHT EMITTING DEVICES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND THE TWENTY-EIGHTH STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS, 98 (2), SAN DIEGO, CA, MAY 03-08, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29