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| 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡理科; 熊聪; 祁琼; 王冠; 马骁宇; 刘素平 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1914/283  |  提交时间:2011/08/30 |
| 降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102163804A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 祁琼; 熊聪; 王俊; 郑凯; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2072/433  |  提交时间:2012/09/09 |
| 半导体激光二极管发光单元及器件 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102130423A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑凯; 王俊; 熊聪; 马骁宇 Adobe PDF(748Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1758/385  |  提交时间:2012/09/09 |
| 紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102141736A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑凯; 赵懿昊; 李全宁; 熊聪 Adobe PDF(872Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1922/412  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010201589.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 张严波; 赵凯; 杨富华 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/221  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1246/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:804/77  |  提交时间:2014/12/25 |
| MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08 发明人: 冉军学; 胡强; 胡国新; 梁勇; 熊衍凯; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(426Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:733/69  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种半导体激光器列阵烧结装置和烧结方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 祁琼; 孔金霞; 熊聪; 仲莉; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:693/7  |  提交时间:2016/09/12 |