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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种双色量子阱红外光探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 宋国峰; 许斌宗; 刘杰涛; 胡海峰; 韦欣; 王青; 徐云
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
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| InGaAs红外光探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 韦欣; 许斌宗; 宋国峰; 刘杰涛; 徐云; 相春平; 付东
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| 基于表面等离子体效应增强吸收的InGaAs光探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 宋国峰; 许斌宗; 韦欣; 刘杰涛; 相春平; 付东; 徐云
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平
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