已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2062/302  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1713/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:809/100  |  提交时间:2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:873/115  |  提交时间:2014/10/31 |
| 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/114  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15 发明人: 李盼盼; 李鸿渐; 张逸韵; 李志聪; 梁萌; 李璟; 王国宏 Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:709/75  |  提交时间:2014/10/29 |
| 压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 李明; 唐健; 邓晔; 祝宁华 Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:614/8  |  提交时间:2016/09/28 |