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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1542/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1254/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:917/94  |  提交时间:2014/12/25 |
| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(1094Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:878/86  |  提交时间:2014/11/17 |
| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:897/86  |  提交时间:2014/10/29 |
| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华 Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:686/96  |  提交时间:2014/10/31 |
| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:876/124  |  提交时间:2014/10/31 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:718/80  |  提交时间:2014/12/25 |
| 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(1214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:858/89  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 付英春; 王晓峰; 季安; 杨富华 Adobe PDF(1522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:725/66  |  提交时间:2014/12/25 |