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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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| 窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
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| 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 金鹏; 魏恒; 吴艳华; 陈红梅; 王占国
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| 基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-04
发明人: 付振; 尹志岗; 张兴旺; 赵亚娟; 陈诺夫; 吴金良
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| 输出功率和光谱形状独立可调的发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-28
发明人: 陈红梅; 金鹏; 王占国
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