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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, X;  Wang, X;  Xiao, H;  Yang, C;  Ran, J;  Wang, C;  Hou, Q;  Li, J;  Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
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High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  Molecular-beam Epitaxy  Heterostructures  Sapphire  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓亮;  孙殿照;  孔梅影;  侯洵;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ(徐士杰);  Liu J(刘剑);  Zheng HZ(郑厚植);  Li YX(李月霞);  Li CF(李承芳);  Zheng HQ(郑海群)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  LI JM;  GUO LH;  HOU X;  LI JM ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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