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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
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会议论文 [4]
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2009 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2003 [1]
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英语 [4]
出处
2009 ICME ... [1]
Optoelectr... [1]
PHYSICA ST... [1]
SEMICONDUC... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
其他 [1]
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ICME. [1]
SPIE.; Chi... [1]
SPIE.; Chi... [1]
会议主办方: UNI... [1]
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语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Multi channel micro neural probe fabricated with SOI
会议论文
2009 ICME INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPLEX MEDICAL ENGINEERING, Tempe, AZ, APR 09-11, 2009
作者:
Wang SJ (Wang Shujing)
;
Pei WH (Pei Weihua)
;
Guo K (Guo Kai)
;
Gui Q (Gui Qiang)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Zhang X (Zhang Xu)
;
Tang J (Tang Jun)
;
Chen HD (Chen Hongda)
;
Pei, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1988/473
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提交时间:2010/03/09
Microelectrode Arrays
Measurement and analysis of microwave frequency response of semiconductor optical amplifiers - art. no. 682406
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:
Liu, J
;
Zhang, SJ
;
Hu, YH
;
Xie, L
;
Huang, YZ
;
Zhu, NH
;
Liu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1419/314
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提交时间:2010/03/09
Semiconductor Optical Amplifier
Microwave Frequency Response
Direct-subtracting Method
Vector Network Analyzer
Multisectional Model
Rate Equation
Steady State
Small-signal State
Subtraction of S-parameters for adiabatic small-signal modulation characteristics of laser diode - art. no. 60201V
会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:
Zhang, SJ
;
Wen, JM
;
Song, HP
;
Zhu, NH
;
Zhang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1439/423
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提交时间:2010/03/29
Semiconductor Laser Diode
Subtraction Method
Scattering Parameters
Intrinsic Response
Thermal Effect
Frequency-response
Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li Q
;
Fang ZL
;
Xu SJ
;
Li GH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Zhang XH
;
Liu W
;
Chua SJ
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1449/249
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提交时间:2010/11/15
Piezoelectric Field
Photoluminescence
Temperature