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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Deng Y ; Zhao DG; Wu LL; Liu ZS; Zhu JJ; Jiang DS; Zhang SM; Liang JW; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 朱建军; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zou JJ (Zou Ji-Jun); Chang BK (Chang Ben-Kang); Yang Z (Yang Zhi); Gao P (Gao Pin); Qiao JL (Qiao Jian-Liang); Zeng YP (Zeng Yi-Pine); Chang, BK, Nanjing Univ Sci & Technol, Inst Elect Engn & Opto Elect Technol, Nanjing 210094, Peoples R China. 电子邮箱地址: bkchang@mail.njust.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘国梁; 姚江宏; 许京军; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邹继军; 常本康; 杨智; 高频; 乔建良; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐波; 刘会贇; 王占国; 韩勤; 钱家骏; 梁基本; 丁鼎; 刘峰奇; 张金福; 张秀兰
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| 掺铒硅基材料光学性质和微结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者: 梁建军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JJ; Wang YQ; Chen WD; Wang ZG; Chang Y; Liang JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁建军; 王永谦; 陈维德; 王占国; 常勇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈维德; 梁建军; 王永谦
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