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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, J (Yang Jun);  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Lue, XH (Lue Xiao-Hong);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Yang, J (Yang Jun);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B (Wang Bo);  Zhao YW (Zhao You-Wen);  Dong ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng AH (Deng Ai-Hong);  Miao SS (Miao Shan-Shan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Dept Appl Phys, Chengdu 610065, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王博;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  杨俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨俊;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  苗杉杉;  王博
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  苗杉杉;  董志远;  吕小红;  邓爱红;  杨俊;  王博
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苗杉杉;  赵有文;  董志远;  邓爱红;  杨俊;  王博
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：912/367  |  提交时间：2010/11/23
1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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