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| 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵洪泉; 于丽娟 ; 黄永箴
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵洪泉; 于丽娟; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 李敬; 黄永箴
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| Si 与InP 键合研究及Si 基InGaAsP 激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 赵洪泉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩勤; 彭红玲; 杜云; 倪海桥; 赵欢; 牛智川; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘尧; 肖绪瑞; 曾一平; 阎春辉; 郑海群; 孙殿照
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 阎春辉; 郑海群; 范缇文; 孔梅影; 曾一平; 黄运衡; 朱世荣; 孙殿照
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