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| 一种生长可控量子点和量子环的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011 发明人: 赵 暕; 陈涌海; 王占国; 徐 波 Adobe PDF(1161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1434/232  |  提交时间:2010/03/19 |
| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国 Adobe PDF(673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1665/245  |  提交时间:2010/03/19 |
| 在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 周振宇; 陈涌海 Adobe PDF(367Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1395/264  |  提交时间:2010/03/19 |
| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994 发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1543/249  |  提交时间:2010/03/19 |
| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1734/222  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1342/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(750Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1671/208  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 范海波; 李成明; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1460/225  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1295/166  |  提交时间:2009/06/11 |