已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12 发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟 Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1756/265  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990 发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏 Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1570/220  |  提交时间:2010/03/19 |
| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1583/220  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1608/246  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1558/200  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1684/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1626/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29 发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1595/245  |  提交时间:2012/08/29 |