已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1949/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1443/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1618/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1406/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于电调制光致发光光谱测量的样品架 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丛光伟; 彭文琴; 吴洁君; 魏宏源; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1336/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉 Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1840/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1103/170  |  提交时间:2009/06/11 |