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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhicheng Wang;  Dong Pan;  Le Wang;  Tingwen Wang;  Bing Zhao;  Yong Wu;  Ming Yang;  Xiaoguang Xu;  Jun Miao;  Jianhua Zhao;  Yong Jiang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng Ren;  Gang Han;  Bing-Lei Fu;  Bin Xue;  Ning Zhang;  Zhe Liu;  Li-Xia Zhao;  Jun-Xi Wang;  Jin-Min Li
Adobe PDF(5049Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：433/1  |  提交时间：2017/03/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bing Wang;  Yun Zhao;  Xiao-Yan Yi;  Guo-Hong Wang;  Zhi-Qiang Liu;  Rui-Rei Duan;  Peng Huang;  Jun-Xi Wang;  Jin-Min Li
Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：164/4  |  提交时间：2017/03/16