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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
可调谐外腔量子级联激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  赵智斌
Adobe PDF(2215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：771/68  |  提交时间：2016/06/01