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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lin L (Lin L.); Zhen HL (Zhen H. L.); Li N (Li N.); Lu W (Lu W.); Weng QC (Weng Q. C.); Xiong DY (Xiong D. Y.); Liu FQ (Liu F. Q.); Lu, W, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luwei@mail.sitp.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiong KL (Xiong Kanglin); He W (He Wei); Lu SL (Lu Shulong); Zhou TF (Zhou Taofei); Jiang DS (Jiang Desheng); Wang RX (Wang Rongxin); Qiu K (Qiu Kai); Dong JR (Dong Jianrong); Yang H (Yang Hui); Yang, H, CAS, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Ruoshui Rd 398, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyang2006@sinano.ac.cn
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| 低维氧化锌半导体材料中的激子态 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 熊稳
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang SB (Zhang Sh B.); Cui QJ (Cui Q. J.); Xiong B (Xiong B.); Guo L (Guo L.); Hou W (Hou W.); Lin XC (Lin X. C.); Li JM (Li J. M.); Zhang, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Light Sources, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: shbzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang L (Zhang Ling); Guo L (Guo Lin); Xiong B (Xiong Bo); Yu HJ (Yu Hai-Juan); Sun L (Sun Lu); Hou W (Hou Wei); Lin XC (Lin Xue-Chun); Li JM (Li Jin-Min); Zhang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Light Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanglingphys@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang L (Zhang L.); Guo L (Guo L.); Xiong B (Xiong B.); Yan X (Yan X.); Sun L (Sun L.); Hou W (Hou W.); Lin XC (Lin X. C.); Li JM (Li J. M.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma J (Ma J.); Guo L (Guo L.); Xiong B (Xiong B.); Yan X (Yan X.); Zhang S (Zhang S.); Chen R (Chen R.); Zhao W (Zhao W.); Lin X (Lin X.); Li J (Li J.); Duanmu Q (Duanmu Q.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王占国
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