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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin L (Lin L.);  Zhen HL (Zhen H. L.);  Li N (Li N.);  Lu W (Lu W.);  Weng QC (Weng Q. C.);  Xiong DY (Xiong D. Y.);  Liu FQ (Liu F. Q.);  Lu, W, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luwei@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SB (Zhang Sh B.);  Cui QJ (Cui Q. J.);  Xiong B (Xiong B.);  Guo L (Guo L.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Zhang, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Light Sources, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: shbzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma JL (Ma J. L.);  Xiong B (Xiong B.);  Guo L (Guo L.);  Zhao PF (Zhao P. F.);  Zhang L (Zhang L.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Duanmu QD (Duanmu Q. D.);  Ma, JL, Changchun Univ Sci & Technol, Changchun 130022, Jilin, Peoples R China. E-mail Address: custmjl@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang L (Zhang L.);  Guo L (Guo L.);  Xiong B (Xiong B.);  Yan X (Yan X.);  Sun L (Sun L.);  Hou W (Hou W.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.)
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