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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao HM; Lombez L; Liu BL; Sun BQ; Xue QK; Chen DM; Marie X; Zhao HM Chinese Acad Sci Inst Phys Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China. E-mail Address: blliu@aphy.iphy.ac.cn; marie@insa-toulouse.fr
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xue HY; Xue CL; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Xue HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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| GaAs 基半导体中自旋动力学的实验研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 阮学忠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu WX; Cheng BW; Xue CL; Xue HY; Su SJ; Bai AQ; Luo LP; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xue CL (Xue Chunlai); Xue HY (Xue Haiyun); Cheng BW (Cheng Buwen); Hu WX (Hu Weixuan); Yu YD (Yu Yude); Wang QM (Wang Qiming); Xue, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: clxue@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾凡平; 韩培德; 高利朋; 冉启江; 毛雪; 赵春华; 米艳红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨威; 姬扬; 罗海辉; 阮学忠; 王玮竹; 赵建华
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