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用于制备二维光子晶体的双光束全息干涉多次曝光方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期:  
发明人:  陆全勇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY;  Zhang W;  Wang LJ;  Gao Y;  Yin W;  Zhang QD;  Liu WF;  Liu FQ;  Wang ZG;  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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