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一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曹峻松;  秦大山;  曹国华;  曾一平;  李晋闵
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采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao JS;  Guan M;  Cao GH;  Zeng YP;  Li JM;  Qin DS;  Cao, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn;  qindashan@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao JS;  Guan M;  Cao GH;  Zeng YP;  Li JM;  Qin DS;  Cao, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn;  qindashan@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He GR;  Zheng WH;  Qu HW;  Yang GH;  Wang Q;  Cao YL;  Chen LH;  He, GR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao GH;  Qin DS;  Guan M;  Cao JS;  Zeng YP;  Li JM;  Qin, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qindashan@yahoo.com.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  何国荣;  郑婉华;  渠红伟;  杨国华;  王青;  曹玉莲;  陈良惠
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