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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [19]
作者
魏同波 [5]
段瑞飞 [3]
刘喆 [2]
闫建昌 [1]
文献类型
期刊论文 [15]
专利 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [19]
语种
英语 [11]
中文 [8]
出处
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发表日期:2007
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
马志勇
;
冉学军
;
王翠敏
;
肖红领
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
;
王晓亮
;
王启元
;
刘宏新
;
王俊
;
曾一平
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浏览/下载:1359/227
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提交时间:2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
冉军学
;
王晓亮
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Z (Liu Zhe)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Guo LC (Guo Lunchun)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Yan FW (Yan Fawang)
;
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li, Jinmin)
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li AN (Li Antnin)
;
Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Yan FW (Yan Fawang)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29