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不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李德尧;  张书明;  杨辉;  梁俊吾
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jahn U (Jahn Uwe);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Ploog KH (Ploog Klaus H.);  Wang XL (Wang Xiaolan);  Zhao DG (Zha0 Degang);  Yang H (Yang, Hui);  Jahn, U, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: ujahn@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XL (Wang, X. L.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Jahn, U (Jahn, U.);  Ploog, K (Ploog, K.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, H.);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, W (Liu, W.);  Wang, JF (Wang, J. F.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, H.);  Liu, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuwei@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J (Li, Jun);  Shi, SL (Shi, S. L.);  Wang, YJ (Wang, Y. J.);  Xu, SJ (Xu, S. J.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Yang, H (Yang, H.);  Lu, F (Lu, F.);  Li, J, Fudan Univ, Dept Phys, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李德尧;  张书明;  王建峰;  陈俊;  陈良惠;  种明;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
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