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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang PF (Zhang, P. F.);  Liu XL (Liu, X. L.);  Wei HY (Wei, H. Y.);  Fan HB (Fan, H. B.);  Liang ZM (Liang, Z. M.);  Jin P (Jin, P.);  Yang SY (Yang, S. Y.);  Jiao CM (Jiao, C. M.);  Zhu QS (Zhu, Q. S.);  Wang ZG (Wang, Z. G.);  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS (Xu Xing-Sheng);  Xiong ZG (Xiong Zhi-Gang);  Jin AZ (Jin Ai-Zi);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Zhang DZ (Zhang Dao-Zhong);  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS (Xu Xingsheng);  Chen HD (Chen Hongda);  Xiong ZG (Xiong Zhigang);  Jin AZ (Jin Aizi);  Gu CZ (Gu Changzhi);  Cheng BY (Cheng Bingying);  Zhang DZ (Zhang Daozhong);  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  熊志刚;  金爱子;  陈弘达;  张道中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑婉华;  任刚;  邢名欣;  杜晓宇;  王科;  张冶金;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈瑶;  周玉琴;  张群芳;  朱美芳;  刘丰珍;  刘金龙;  陈诺夫
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