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作者:  Ding Y (Ding Ying);  Kan Q (Kan Qiang);  Wang JL (Wang Jun-ling);  Pan JQ (Pan Jiao-qing);  Zhou F (Zhou Fan);  Chen WX (Chen Wei-xi);  Wang W (Wang Wei);  Ding, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingding@red.semi.ac.cn;  wy_9992000@163.com
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作者:  Xiao-Jie, Y (Yang Xiao-Jie);  Qing, W (Wang Qing);  Wen-Quan, M (Ma Wen-Quan);  Liang-Hui, C (Chen Liang-Hui);  Xiao-Jie, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yangxj@semi.ac.cn
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作者:  Liu JT (Liu Jiang-Tao);  Zhou YS (Zhou Yun-Song);  Chen DF (Chen Dong-Feng);  Chen QM (Chen Qing-Mei);  Liu, JT, Capital Normal Univ, Dept Phys, Beijing 100037, Peoples R China. 电子邮箱地址: 263zys@263.net;  dongfeng@ciae.ac.cn
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作者:  Yang H (Yang Hua);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Feng W (Feng Wen);  Xie HY (Xie Hong-Yun);  Zhou F (Zhou Fan);  An X (An Xin);  Bian J (Bian Jing);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang W (Wang Wei);  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yanghua@red.semi.ac.cn
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