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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Wang WJ;  Su FH;  Den JJ;  Jiang CP;  Liu HL;  Ding K;  Zhao JH;  Li GH;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  丁琨;  赵建华;  邓加军;  蒋春萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  邓加军;  蒋春萍;  刘海林;  丁琨;  赵建华;  李国华
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