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一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Li JM;  Cong GW;  Wei HY;  Zhang PF;  Hu WG;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Jia QJ;  Gu LP;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
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