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硅纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾湘波;  廖显伯;  刁宏伟;  向贤碧;  孔光临;  徐艳月
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能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  杨占坤
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Djurisic AB (Djurisic A. B.);  Beling CD (Beling C. D.);  Cheung CK (Cheung C. K.);  Cheung CH (Cheung C. H.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang WJ;  Yang XD;  Ma BS;  Sun Z;  Su FH;  Ding K;  Xu ZY;  Li GH;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Wang, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wwjgr@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan PH (Tan P. H.);  Luo XD (Luo X. D.);  Xu ZY (Xu Z. Y.);  Zhang Y (Zhang Y.);  Mascarenhas A (Mascarenhas A.);  Xin HP (Xin H. P.);  Tu CW (Tu C. W.);  Ge WK (Ge W. K.);  Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pinghengtan@hotmail.com;  yong_zhang@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao C (Zhao C.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Zhao M (Zhao Man);  Zhang CL (Zhang C. L.);  Xu B (Xu B.);  Yu LK (Yu L. K.);  Sun J (Sun J.);  Lei W (Lei W.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: czhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan P H;  Luo X D;  Ge W K;  Xu Z Y;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin H P;  Tu C W
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