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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1277/193  |  提交时间：2009/06/11
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  李桂荣;  杨富华
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1337/165  |  提交时间：2009/06/11
在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1263/191  |  提交时间：2009/06/11
GaAs 基量子点垂直腔面发射激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  李若园
Adobe PDF(1494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：937/40  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Wang WJ;  Su FH;  Den JJ;  Jiang CP;  Liu HL;  Ding K;  Zhao JH;  Li GH;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1254/446  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DL (Li Dong-Lin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1116/313  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu XN (Hu Xue-Ning);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Hu, XN, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：749/221  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Pan JQ;  Zhang J;  Li BX;  Zhou F;  Wang BJ;  Wang LF;  Bian J;  Zhao LJ;  Wang W;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：885/236  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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