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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2006 [12]
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发表日期:2006
语种:中文
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
王军喜
;
钟兴儒
;
李晋闽
;
曾一平
;
段瑞飞
;
马平
;
魏同波
;
林郭强
Adobe PDF(457Kb)
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浏览/下载:1670/189
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提交时间:2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(335Kb)
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浏览/下载:1348/193
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提交时间:2009/06/11
一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郑厚植
;
李桂荣
;
杨富华
Adobe PDF(366Kb)
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浏览/下载:1424/165
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提交时间:2009/06/11
在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
时文华
;
李传波
;
王容伟
;
罗丽萍
;
王启明
Adobe PDF(406Kb)
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浏览/下载:1349/191
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提交时间:2009/06/11
GaAs 基量子点垂直腔面发射激光器的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
李若园
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma BS
;
Wang WJ
;
Su FH
;
Den JJ
;
Jiang CP
;
Liu HL
;
Ding K
;
Zhao JH
;
Li GH
;
Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1254/446
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1116/313
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu XN (Hu Xue-Ning)
;
Li XQ (Li Xin-Qi)
;
Hu, XN, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:749/221
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Q
;
Pan JQ
;
Zhang J
;
Li BX
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Wang LF
;
Bian J
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
董志远
;
李成基
;
段满龙
;
孙文荣
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提交时间:2010/11/23