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含锑化合物半导体量子阱结构的光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  屈玉华
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作者:  Qu, YH;  Jiang, D;  Wu, DH;  Niu, ZC;  Sun, Z;  Qu, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: topyuhua@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, YH;  Luo, JF;  Hao, AM;  Gao, CX;  Xie, HS;  Qu, SC;  Liu, HW;  Zou, GT;  Gao, CX, Jilin Univ, State Key Lab Superhard Mat, Changchun 130012, Peoples R China. 电子邮箱地址: cxgao599@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙永伟;  马文全;  杨晓杰;  屈玉华;  侯识华;  江德生;  孙宝权;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈玉华;  江德生;  边历峰;  孙征;  牛智川;  徐晓华
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