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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan YX;  He JL;  Wang YG;  Liu S;  Wang HT;  Ma XY;  Wang, HT, Nanjing Univ, Natl Lab Solid Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: htwang@nju.edu.cn
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