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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao FA;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Zhang CL;  Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Chen YH;  Wu J;  Lei W;  Wang ZG;  Zeng YP;  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Han X;  Wu JJ;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiemli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JL;  Wu YD;  Gao DS;  An JM;  Li J;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Jlxia@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SY;  Niu ZC;  Ni HQ;  Wu DH;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Chen YH;  Wu J;  Wang ZG;  Zeng YP;  Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, JM;  Lu, YW;  Han, XX;  Wu, JJ;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiemli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, XX;  Li, JM;  Wu, JJ;  Cong, GW;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@semi.ac.cn
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