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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li BX;  Zhu HL;  Zhang J;  Zhao Q;  Pian JQ;  Ding Y;  Wang BJ;  Bian J;  Zhao LJ;  Wang W;  Li, BX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  Wu, DH;  Zhao, H;  Peng, HL;  Xu, YQ;  Li, SY;  He, ZH;  Ren, ZW;  Han, Q;  Yang, XH;  Du, Y;  Wu, RH;  Zhang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangshiyong@tsinghua.org.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang Q;  Chen P;  Xin HL;  Wang CX;  Li F;  Liu YL;  Fang, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qingfang@red.semi.ac.cn
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光信道性能监测模块的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  辛红丽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, YJ;  Yang, L;  Fang, Q;  Xin, HL;  Li, F;  Liu, YL;  He, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yjhe@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1037/251  |  提交时间:2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao, HL;  Wang, XL;  Wang, JX;  Zhang, NH;  Liu, HX;  Zeng, YP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Xiao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Grp, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlxiao@red.semi.ac.cn
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