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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡小华; 李宝霞; 朱洪亮; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 裴为华 ; 陈弘达; 唐君; 鲁琳; 刘金彬; 吴惠娟; 陈晶华; 胡小凤; 黎晓新; 李凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡春华; 毕勇; 孙志培; 李瑞宁; 许祖彦; 方高瞻; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏艳梅; 种明; 张艳冰; 胡小燕; 孙永伟; 赵伟; 陈良惠
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