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GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  崔利杰
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InGaN量子点的 MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  李昱峰
Adobe PDF(2257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：800/30  |  提交时间：2009/04/13