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一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  孙国胜;  朱世荣;  曾一平;  孙殿照;  王雷
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碳化硅（6H-SiC）器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  王姝睿
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙国胜;  罗木昌;  王雷;  朱世荣;  李晋闽;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  李国花;  于芳;  刘焕章
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  梁桂荣;  梁秀芹;  马红芝
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  李晋闽;  王良臣;  徐萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  徐萍;  葛永才;  姚文卿;  高翠华
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