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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [11]
作者
黎大兵 [1]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
韩培德 [1]
文献类型
会议论文 [11]
发表日期
2008 [1]
2003 [1]
2000 [4]
1998 [5]
语种
英语 [11]
出处
PROCEEDING... [2]
2008 2ND I... [1]
5TH INTERN... [1]
BLUE LASER... [1]
HYDROGEN I... [1]
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Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Liu, Y
;
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Wang, ZG
;
Zhang, R
;
Zhang, Z
;
Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Quantum-wells
Spin
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Li DB
;
Dong X
;
Huang JS
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Li DB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Multiple-quantum Wells
Quaternary Alloys
Optical-properties
Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Liu XL
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mg-doped
Algan/gan Superlattices
Resistivity
Hole Concentration
Polarization
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Gan
Annealing Treatment
In-doping
Movpe
Photoluminescence
Chemical-vapor-deposition
Phase Epitaxy
Buffer Layer
Films
Sapphire
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films
The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Sapphire
On the nature of iron in InP: A FTIR study
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Lao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Iron
Phonon Sideband
Semi-insulating
Inp
The role of hydrogen in semi-insulating INP
会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Qian JJ
;
Chen YH
;
Wang ZG
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Hydrogen related defects in InP
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON LIGHT EMITTING DEVICES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND THE TWENTY-EIGHTH STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS, 98 (2), SAN DIEGO, CA, MAY 03-08, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29