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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2002 [1]
2000 [1]
1998 [2]
语种
英语 [4]
出处
INTEGRATED... [1]
MATERIALS ... [1]
MATERIALS ... [1]
SEMICONDUC... [1]
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Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Defects
Gan
Photoluminescence
Electronic Structures
Yellow Luminescence
Epitaxial-films
Mg
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Precipitate
Gan
Wds
Tem
Cathodoluminescence
Vapor-phase Epitaxy
Films
Mechanism
Growth
Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Kang XJ
;
Lin SM
;
Liao QW
;
Gao JH
;
Liu SA
;
Cheng P
;
Wang HJ
;
Zhang CH
;
Wang QM
;
Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photodetector
Oxidation
Materials Growth
Visible vertical cavity surface emitting laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Cheng P
;
Ma XY
;
Gao JH
;
Kang XJ
;
Cao Q
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Zhang CH
;
Lu XL
;
Lin SM
;
Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiconductor Lasers
Oxidation