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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2001 [4]
语种
英语 [4]
出处
CLEO(R)/PA... [1]
PHYSICA ST... [1]
PHYSICA ST... [1]
PROCEEDING... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2001
语种:英语
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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Integrated tapered MMI couplers in the silicon-on-insulator technology
会议论文
CLEO(R)/PACIFIC RIM 2001, VOL II, TECHNICAL DIGEST, CHIBA, JAPAN, JUL 15-19, 2001
作者:
Wei HZ
;
Yu JZ
;
Liu ZG
;
Ma HZ
;
Li GH
;
Zhang XF
;
Wang LC
;
Wei HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1495/452
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提交时间:2010/10/29
Devices
Photoluminescence from carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Han HX
;
Li GH
;
Ge WK
;
Wang ZP
;
Xu ZY
;
Xie SS
;
Chang BH
;
Sun LF
;
Wang BS
;
Xu G
;
Su ZB
;
Han HX Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:929/0
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提交时间:2010/10/29
Electronic-structure
Influences of initial nitridation process on the optical and structural characterization of GaN layer grown on sapphire (0001) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Chen Y
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL Ohio State Univ Dept Elect Engn Columbus OH 43210 USA.
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提交时间:2010/11/15
Gallium Nitride
Luminescence
Bulk
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:
Li GH
;
Chen Y
;
Fung ZL
;
Ding K
;
Han HX
;
Zhou W
;
Wang ZG
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hydrostatic-pressure
Photoluminescence
Gaas
Luminescence
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Insb
Gasb