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基于InAsGaSb 二类超晶格的新型红外探测器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  鄢绍龙
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Ⅲ族氮化物材料热壁化学气相沉积制备研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  牛慧丹
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InGaN厚膜的生长与物性表征 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  柴若皓
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GaN基增强型HEMT器件制备研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  牛迪
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无权访问的条目 学位论文
作者:  储佳焰
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蓝宝石衬底上AlGaN_GaN二维电子气结构的剥离研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  郭芬
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水平三层流 HVPE反应室流场和热场数值模拟计算研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  胡君
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GaN基HEMT生物传感器的制备与性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  占香蜜
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氮化镓  高电子迁移率晶体管  生物传感器  Dna杂交  癌胚抗原(cea)检测  
AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
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GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  崔磊
Adobe PDF(7214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1165/109  |  提交时间:2015/06/05