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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Zhao H
;
Wang SM
;
Zhao QX
;
Sadeghi M
;
Larsson A
;
Zhao H Chalmers Photon Lab Dept Microtechnol & Nanosci SE-41296 Gothenburg Sweden. E-mail Address: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1012/277
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu SL (Lu, Shulong)
;
Nosho H (Nosho, Hidetaka)
;
Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi)
;
Bian LF (Bian, Lifeng)
;
Dong JR (Dong, Jianrong)
;
Niu ZC (Niu, Zhichuan)
;
Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu2008@sinano.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao H
;
Haglund A
;
Westburgh P
;
Wang SM
;
Gustavsson JS
;
Sadeghi M
;
Larsson A
;
Zhao H Chalmers Dept Microtechnol & Nanosci Photon Lab SE-41296 Gothenburg Sweden. E-mail Address: zhaoh@chalmers.se
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提交时间:2010/03/08
1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
赵欢
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浏览/下载:1395/73
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提交时间:2009/04/13
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期刊论文
作者:
朱彬
;
韩勤
;
杨晓红
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浏览/下载:1114/292
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
Lu SL
;
Bian LF
;
Uesugi M
;
Nosho H
;
Tackeuchi A
;
Niu ZC
;
Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu@waseda.jp
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浏览/下载:922/259
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi HL
;
Duan YF
;
Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1528/523
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提交时间:2010/03/08
GaAs 基1.55 μm GaInNAs(Sb)、异变InGaAs 量子阱材料与激光器
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
吴东海
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浏览/下载:910/40
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
孙彦
;
彭红玲
;
任正伟
;
贺振宏
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
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Sun, BQ (Sun, B. Q.)
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Ji, Y (Ji, Y.)
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Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
;
ji_ym@mail.sic.ac.cn
;
zyxu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1054/299
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提交时间:2010/03/29