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基于氮化镓功率器件的车用智能光源驱动芯片研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  常育宽
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面向650V氮化镓集成功率器的专用集成电路关键技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭玉洁
Adobe PDF(11205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:270/4  |  提交时间:2022/07/25
面向有源以太网功率转换应用的GaN半桥集成功率器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  寇玉霞
Adobe PDF(5008Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:248/0  |  提交时间:2022/07/26
基于GaN HEMT的激光探测发射单元研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  杨仕轩
Adobe PDF(2689Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:248/3  |  提交时间:2022/07/26
GaN基紫外探测器材料与结构研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  曹子坤
Adobe PDF(15200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:434/14  |  提交时间:2021/06/17
无权访问的条目 学位论文
作者:  林杉
Adobe PDF(8110Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2021/12/16
无权访问的条目 学位论文
作者:  席鑫
Adobe PDF(9289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/08/05
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  侍铭
Adobe PDF(2200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:727/27  |  提交时间:2015/06/02
Aln  冷阴极  场致电子发射  硅掺杂  击穿