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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BL
;
Cai FF
;
Sun GS
;
Fan HB
;
Zhang PF
;
Wei HY
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zhang, BL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangbaoli@semi.ac.cn
;
qszhu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1309/412
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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浏览/下载:978/232
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei Tongbo
;
Ma Ping
;
Duan Ruifei
;
Wang Junxi
;
Li Jinmin
;
Liu Zhe
;
Lin Guoqiang
;
Zeng Yiping
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浏览/下载:1020/362
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qin Han
;
Zhichuan Niu
;
Haiqiao Ni
;
Shiyong Zhang
;
Xiaohong Yang
;
Yun Du
;
Cunzhu Tong
;
Huan Zhao
;
Yingqiang Xu
;
Hongling Peng
;
Ronghan Wu
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浏览/下载:780/271
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL
;
Wang CM
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Ran JX
;
Fang CB
;
Li JP
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Liu XY
;
Liu J
;
Qian H
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1014/271
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Xiaoling
;
Wang Ciumei
;
Hu Guoxin
;
Wang Junxi
;
Liu Xinyu
;
Liu Jian
;
Ran Junxue
;
Qian He
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
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浏览/下载:1138/271
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提交时间:2010/11/23
Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD
会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Sun, GS
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1477/293
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo MC
;
Li JM
;
Wang QM
;
Sun GS
;
Wang L
;
Li GR
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1315/464
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提交时间:2010/08/12
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1629/300
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提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy