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N型注入4H-SiC脉冲激光退火激活研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  武婧敏
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碳化硅超级结结构关键工艺研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  田润
Adobe PDF(4990Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：509/3  |  提交时间：2021/06/17
4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘敏
Adobe PDF(5200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：567/21  |  提交时间：2019/11/18