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| 硅基InGaAsInGaAsP多量子阱外延技术及硅基激光器的探索研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 杨文宇
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| 氧化限制型VCSEL横向模式控制及可调性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 邵泓焰
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 顾增辉
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 李利安
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| 直接 Si 掺杂 InAsGaAs 量子点激光器线宽增强因子研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 邱雅琪
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| InAsGaAs量子点激光器的抗反射特性及注入锁定状态研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 夏依达·马学尔
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| 硅基III-V族多量子阱激光器的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 李亚节
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| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
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| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 余丁
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