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宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  赵玲娟
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宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘宁;  金鹏;  王占国
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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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宽光谱自组织量子点材料的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240354.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  梁松;  朱洪亮;  王圩
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具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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