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基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  余之峰
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无权访问的条目 学位论文
作者:  顾增辉
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直接 Si 掺杂 InAsGaAs 量子点激光器线宽增强因子研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  邱雅琪
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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
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基于V族元素的两种新型低维半导体及其偏振光探测器 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  任智慧
Adobe PDF(5755Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：410/2  |  提交时间：2021/06/18
无权访问的条目 学位论文
作者:  张立晨
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无权访问的条目 学位论文
作者:  赵方圆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Shaoteng;   Yi, Xiaoyan;   Tian, Shuang;   Zhang, Shuo;   Liu, Zhiqiang;   Wang, Liancheng;   Wang, Junxi;   Li, Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Qiang;   Pan, Dong;   Zhang, Xutao;   Zhao, Jianhua;   Chen, Pingping;   Lu, Wei;   Zou, Jin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Xinzhe;   Pan, Dong;   Sun, Mei;   Lyu, Fengjiao;   Zhao, Jianhua;   Chen, Qing
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