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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
硅基一维横向纳米材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  张大林
Adobe PDF(5527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：802/40  |  提交时间：2015/06/01
Si 基  一维纳米材料  Gesn 一维横向生长  横向转移